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鼎堅(jiān)

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如何在實(shí)際應(yīng)用中選擇碳化硅MOS的關(guān)斷方式？


碳化硅（SiC）MOSFET 關(guān)斷方式怎么選？—— 實(shí)戰(zhàn)選型指南

我直接給你最實(shí)用、工程上能直接用的結(jié)論，不講虛的。

一、先記住核心結(jié)論

SiC MOS 天生不適合 “0V 關(guān)斷”，和硅 MOS 完全不一樣：

  • 硅 MOS：常用 0V 關(guān)斷

  • SiC MOS：強(qiáng)烈推薦 負(fù)電壓關(guān)斷（-2V ~ -5V）

二、SiC 為什么必須優(yōu)先負(fù)壓關(guān)斷？

SiC 開關(guān)速度極快（dv/dt、di/dt 極大），會(huì)產(chǎn)生：

  1. 米勒尖峰強(qiáng)，容易誤開通

  2. 柵極振蕩大

  3. EMI 更難處理

如果用 0V 關(guān)斷：

  • 高頻、大功率、硬開關(guān)下 極易炸管

  • 米勒平臺(tái)抖動(dòng) → 誤導(dǎo)通 → 直通短路

三、兩種關(guān)斷方式對比（直接給結(jié)論）

1）0V 關(guān)斷（VGS_OFF = 0V）

適用場景：

  • 小功率、低電壓、低頻率

  • 軟開關(guān)（LLC、相移 ZVS）

  • 電流小、dv/dt 溫和

  • 對成本敏感，不想做負(fù)壓驅(qū)動(dòng)

優(yōu)點(diǎn)：

  • 驅(qū)動(dòng)簡單，單電源即可

  • 關(guān)斷損耗略小

缺點(diǎn)：

  • 抗干擾差

  • 硬開關(guān)基本不能用

  • 容易誤導(dǎo)通

2）負(fù)壓關(guān)斷（VGS_OFF = -2V ~ -5V）

工程默認(rèn)首選！
適用場景：

  • 硬開關(guān) PFC、 totem-pole PFC

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