CPW65R041FC1是上海功成半導體（CoolSemi）推出的650V N 溝道超結(jié) MOSFET，主打低導通電阻、大電流、高功率密度，適配中高壓大功率開關電源場景。
品牌 / 廠商：上海功成半導體（CoolSemi）
器件類型：N 溝道增強型超結(jié)（Super Junction）MOSFET
封裝：TO-247（插件封裝，3 引腳）
系列定位：650V 高壓、低 Rds (on)、大電流功率開關管
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 條件 |
|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | V(BR)DSS | 650V | — |
| 連續(xù)漏極電流 | ID | 70A | Tc=25℃ |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 約 210A | 單次脈沖 |
| 導通電阻（最大） | RDS(on) | 41mΩ | VGS=10V, ID=33A |
| 柵源閾值電壓 | VGS(th) | 4.0V（典型） | ID=3.3mA |
| 柵源耐壓 | VGS | ±20V | — |
| 總柵極電荷 | Qg | 約 300nC | VGS=0~10V |
| 輸入電容 | Ciss | 約 8.4nF | VDS=100V |
| 功耗 | PD | 約 500W | Tc=25℃ |
| 工作結(jié)溫 | Tj | -55℃ ~ +150℃ | — |
| 體二極管正向壓降 | VSD | 約 1.0V | IS=49.6A |
| 反向恢復電荷 | Qrr | 約 1.9μC | — |
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