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適用于BMS鋰電保護的低壓MOS
維安（WAYON）WMB100N04TS是一款N溝道增強型功率MOSFET，專為高效開關應用設計，常見于電源管理、電機控制等場景。
主要參數
- 漏源電壓（VDSS）：40V，適用于中等電壓電路。
- 連續漏極電流（ID）：125A（在25°C環境溫度下），支持大電流負載。
- 導通電阻（RDS(on)）：最大4.6mΩ（測試條件：VGS=4.5V），低導阻可減少功率損耗。
- 柵極電荷量（QG）：95nC（VGS=10V），反映柵極驅動需求。
- 工作溫度范圍：-55°C至+150°C，適應寬溫環境。
- 封裝形式：PDFN5060-8L（無鉛、符合RoHS），便于SMT貼裝。
特性與應用
- 低開關損耗：導通電阻小，適合高頻開關場景（如DC-DC轉換器）。
- 典型應用：同步整流、負載開關、電源模塊等。
注意事項
- 選型時需確保柵極驅動電壓滿足閾值要求（VGS(th)典型值2.5V）。
- 高電流應用下需注意散熱設計，以充分發揮其125A電流能力。
如需詳細數據手冊或封裝尺寸，建議參考官方資料獲取PDF文檔。
適用于BMS鋰電保護的低壓MOS
維安（WAYON）WMB100N04TS是一款N溝道增強型功率MOSFET，專為高效開關應用設計，常見于電源管理、電機控制等場景。
主要參數
- 漏源電壓（VDSS）：40V，適用于中等電壓電路。
- 連續漏極電流（ID）：125A（在25°C環境溫度下），支持大電流負載。
- 導通電阻（RDS(on)）：最大4.6mΩ（測試條件：VGS=4.5V），低導阻可減少功率損耗。
- 柵極電荷量（QG）：95nC（VGS=10V），反映柵極驅動需求。
- 工作溫度范圍：-55°C至+150°C，適應寬溫環境。
- 封裝形式：PDFN5060-8L（無鉛、符合RoHS），便于SMT貼裝。
特性與應用
- 低開關損耗：導通電阻小，適合高頻開關場景（如DC-DC轉換器）。
- 典型應用：同步整流、負載開關、電源模塊等。
注意事項
- 選型時需確保柵極驅動電壓滿足閾值要求（VGS(th)典型值2.5V）。
- 高電流應用下需注意散熱設計，以充分發揮其125A電流能力。
如需詳細數據手冊或封裝尺寸，建議參考官方資料獲取PDF文檔。
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Fax: +86-769-21665256
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