WMJ90N60F2 MOSFET參數詳解

基本信息

• 制造商：Wayon（維安） 代理商：東莞市美瑞電子有限公司單價優勢明顯

• 類型：N溝道超級結（Super Junction MOSFET）

• 封裝：TO-247

• 漏極至源極電壓（VDS）：600V

技術參數

• 導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V最大值時為0.03Ω

• 漏極電流（ID）：在TA=25℃時為99A

• 功率耗散（PD）：在TA=25℃時為460W

• 柵極電壓（VGS）：典型值為3.5V

• 開啟閾值電壓（VGS(th)）：典型值為3.5V

優勢特點

• 低功耗和高開關速度：由于其超級結結構，WMJ90N60F2具有非常低的導通電阻（RDS(on)），使得它在導通時損耗極小，從而實現了高效的能量轉換。

• 高電流承載能力：在標準工作條件下，WMJ90N60F2能夠安全地處理高達99A的漏極電流。

• 體積小巧：相比傳統的VDMOS工藝，WMJ90N60F2的晶圓面積更小，這使得封裝出來的產品體積相對較小，有利于提高電源系統的功率密度。

電源產品

在電源產品中，WMJ90N60F2因其出色的導通損耗和溫升性能，被廣泛應用于大功率、大電流類的電源產品中。其低導通損耗大大提高了電源效率，減少了散熱器的體積需求，從而提高了系統的整體效率和可靠性。

LED照明

在LED照明領域，WMJ90N60F2的高效率和低功耗特性使其成為理想的驅動器件。它不僅能夠提供穩定的電流和電壓，還能有效減少能量損失，延長LED的使用壽命。

購買建議

在選擇WMJ90N60F2 MOSFET時，建議通過正規渠道購買，以確保產品的質量和售后服務。例如，東莞市美瑞電子有限公司都是不錯的選擇，他們提供的產品具有良好的性能和可靠的服務。

市場供應信息

供應商：東莞市美瑞電子有限公司
主營業務：專注于銷售功率半導體元器件，包括進口semihow和維安 亞成微 龍騰等多種MOSFET產品。
聯系人： 曾先生 153-3800-0102