WMB043N10LGS

東莞美瑞電子是WAYON維安半導體較早—批代理商,于2018年面對電源市場推廣性能優越的MOSFET功率器件產品,覆蓋650V,700V,800V多種封裝高壓超結MOSFET，歡迎點擊了解。

WMB043N10LGS 是一款由上海維安（Wayon）生產的 N 溝道增強型功率 MOSFET，常用于開關電源等電路中作為同步整流管。

以下是該器件的關鍵參數和特性：

* 主要參數：
* 漏源電壓 (Vdss)：100V
* 連續漏極電流 (Id)：120A
* 導通電阻 (RDS(on))：典型值為 4.5mΩ（在 Vgs=10V 條件下）
* 耗散功率 (Pd)：131.6W
* 封裝形式：DFN-8L (5x6mm)

* 特性與應用：
* 這款 MOSFET 采用先進的工藝制造，具有低導通電阻和高電流承載能力，有助于提升電源轉換效率。
* 其工作溫度范圍較寬，可達 -55℃ ~ +150℃，適用于多種工作環境。
* 根據公開的拆解報告，該型號器件被應用于多款高功率快充充電器中（如 TOMAX 140W 氮化鎵充電器、Baseus 倍思 67W 伸縮線充電器等），作為同步整流電路的核心開關管，負責將高頻變壓器輸出的交流電整流為直流電，以實現高效的能量轉換。

* 注意事項：
* 在使用時，需確保其柵極驅動電壓符合要求，并注意散熱設計以充分發揮其電流處理能力。