業務聯系1533800-0102 曾先生
維安（WAYON）WMJ36N65F2是一款N溝道超結型功率MOSFET，專為高壓應用設計。以下是其關鍵參數和特性概述：
- 型號：WMJ36N65F2
- 封裝：TO-247
- 電壓耐受：漏源擊穿電壓（VDS）為650V
- 導通電阻：在柵源電壓（VGS）為10V時，典型值為0.105Ω
- 電流容量：連續漏極電流（ID）在25℃環境下為36A
- 功率耗散：最大功耗（PD）為277W（基于25℃環境溫度）
- 柵源電壓：最大額定值為30V
- 閾值電壓：典型值約為4V（VGS(th)）
該器件屬于維安的超結MOSFET系列，適用于開關電源、逆變器等高壓場景，具有低導通電阻和高效率的特點。
在采購時，建議通過正規渠道核實供應商資質，并注意批號以確保產品時效性。
維安（WAYON）WMJ36N65F2是一款N溝道超結型功率MOSFET，專為高壓應用設計。以下是其關鍵參數和特性概述：
- 型號：WMJ36N65F2
- 封裝：TO-247
- 電壓耐受：漏源擊穿電壓（VDS）為650V
- 導通電阻：在柵源電壓（VGS）為10V時，典型值為0.105Ω
- 電流容量：連續漏極電流（ID）在25℃環境下為36A
- 功率耗散：最大功耗（PD）為277W（基于25℃環境溫度）
- 柵源電壓：最大額定值為30V
- 閾值電壓：典型值約為4V（VGS(th)）
該器件屬于維安的超結MOSFET系列，適用于開關電源、逆變器等高壓場景，具有低導通電阻和高效率的特點。
在采購時，建議通過正規渠道核實供應商資質，并注意批號以確保產品時效性。
Tel: +86-769-21665206
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經營產品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結MOS
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